pobieranie: aa311
Pobierz dokument docPrzeglądaj wersję html pliku:
Sprawozdanie z wykonanego ćwiczenia nr 311
Temat: Badanie tranzystora.
Imię i nazwisko: Artur Żochowski
Daniel Kozłowski
WTM Semestr: III Rok: II
Zespł: 7 Data wykonania:29.11.1995
Ocena: Podpis:
Tranzystory warstwowe są to elektroniczne elementy połprzewodnikowe
posiadające dwa przejśćia p-n, przy czym w dwóch zestawach:
a) dwa zewnętrzne obszary typu p i jeden wewnętrzny typu n:tranzystor
p-n-p
b) dwa zewnętrzne obszary typu n i jeden wewnętrzny typu p:tranzystor
n-p-n
Każdy z tych obszarów stanowi jedną elektrodę tranzystora. Obszar
wewnętrzny stanowi elektrodę zwaną bazą. Obszary zewnetrzne nazywamy
kolektorem i emiterem.
Mechanizm działania dla obu typów tranzystorów jest identyczny, z tą
tylko różnicą, że gdzie w tranzystorach p-n-p występują dziury, w
tranzystorach n-p-n występują elektrony.
Układy połączeń tranzystorów.
Tranzystor posiada trzy elektrody:emiter,kolektor i bazę. Elektrody te
przez analogię do lampy elektronowej odpowiadają katodzie, anodzie i
siatce tej lampy. Są trzy możliwe połączenia tranzystora tak aby
dawał on wzmocnienie większe od jednośći :
- układ ze wspólną bazą
- układ ze wspólnym emiterem
-układ ze wspólnym kolektorem
TABELE POMIARÓW
I b I k h21' U be h11'
[mA] [mA]
[mV]
0 0.1
0.4685
10 0.5 50 0.5962 59.62
20 0.9 45 0.6175 30.875
30 1.3 43.33333 0.6296 20.98667
40 1.9 47.5 0.638 15.95
50 2.4 48 0.6445 12.89
60 2.9 48.33333 0.6499 10.83167
70 3.4 48.57143 0.6545 9.35
80 3.9 48.75 0.6583 8.22875
90 4.4 48.88889 0.6617 7.352222
100 4.9 49 0.6647 6.647
110 5.5 50 0.6673 6.066364
120 6.1 50.83333 0.6699 5.5825
130 6.7 51.53846 0.6723 5.171538
140 7.2 51.42857 0.6746 4.818571
150 7.8 52 0.6766 4.510667
160 8.4 52.5 0.6786 4.24125
170 8.9 52.35294 0.6803 4.001765
180 9.5 52.77778 0.682 3.788889
190 10.1 53.15789 0.6835 3.597368
200 10.7 53.5 0.6851 3.4255
210 11.3 53.80952 0.6865 3.269048
220 11.9 54.09091 0.6879 3.126818
230 12.5 54.34783 0.6892 2.996522
240 13.1 54.58333 0.6905 2.877083
250 13.7 54.8 0.6916 2.7664
I b = 250 [mA] I b = 200 [mA] I b = 150 [mA] I b =
100 [mA]
I b = 50 [mA]
I k U ke I k U ke I k U ke I k U
ke I k U ke
[ mA] [ V ] [ mA] [ V ] [ mA] [ V ] [ mA] [
V ] [ mA] [ V ]
13.8 1 11.9 1 8.4 1 5.3 1 2.5 1
14 2 12.1 2 8.4 2 5.3 2 2.5 2
14.1 3 12.2 3 8.4 3 5.4 3 2.5 3
14.2 4 12.3 4 8.5 4 5.4 4 2.6 4
14.4 5 12.5 5 8.6 5 5.5 5 2.6 5
14.5 6 12.7 6 8.6 6 5.5 6 2.6 6
14.6 7 12.8 7 8.6 7 5.5 7 2.6 7
14.8 8 12.9 8 8.7 8 5.6 8 2.6 8
14.9 9 12.9 9 8.7 9 5.6 9 2.6 9
15.1 10 13 10 8.8 10 5.7 10 2.6 10
15.3 11 13.1 11 8.8 11 5.7 11 2.6 11
15.5 12 13.1 12 8.9 12 5.7 12 2.6 12
STRONA
- STRONA 1 -
aa311
Sprawozdanie z wykonanego ćwiczenia nr 311
Temat: Badanie tranzystora.
Imię i nazwisko: Artur Żochowski
Daniel Kozłowski
WTM Semestr: III Rok: II
Zespł: 7 Data wykonania:29.11.1995
Ocena: Podpis:
Tranzystory warstwowe są to elektroniczne elementy połprzewodnikowe
posiadające dwa przejśćia p-n, przy czym w dwóch zestawach:
a) dwa zewnętrzne obszary typu p i jeden wewnętrzny typu n:tranzystor
p-n-p
b) dwa zewnętrzne obszary typu n i jeden wewnętrzny typu p:tranzystor
n-p-n
Każdy z tych obszarów stanowi jedną elektrodę tranzystora. Obszar
wewnętrzny stanowi elektrodę zwaną bazą. Obszary zewnetrzne nazywamy
kolektorem i emiterem.
Mechanizm działania dla obu typów tranzystorów jest identyczny, z tą
tylko różnicą, że gdzie w tranzystorach p-n-p występują dziury, w
tranzystorach n-p-n występują elektrony.
Układy połączeń tranzystorów.
Tranzystor posiada trzy elektrody:emiter,kolektor i bazę. Elektrody te
przez analogię do lampy elektronowej odpowiadają katodzie, anodzie i
siatce tej lampy. Są trzy możliwe połączenia tranzystora tak aby
dawał on wzmocnienie większe od jednośći :
- układ ze wspólną bazą
- układ ze wspólnym emiterem
-układ ze wspólnym kolektorem
TABELE POMIARÓW
I b I k h21' U be h11'
[mA] [mA]
[mV]
0 0.1
0.4685
10 0.5 50 0.5962 59.62
20 0.9 45 0.6175 30.875
30 1.3 43.33333 0.6296 20.98667
40 1.9 47.5 0.638 15.95
50 2.4 48 0.6445 12.89
60 2.9 48.33333 0.6499 10.83167
70 3.4 48.57143 0.6545 9.35
80 3.9 48.75 0.6583 8.22875
90 4.4 48.88889 0.6617 7.352222
100 4.9 49 0.6647 6.647
110 5.5 50 0.6673 6.066364
120 6.1 50.83333 0.6699 5.5825
130 6.7 51.53846 0.6723 5.171538
140 7.2 51.42857 0.6746 4.818571
150 7.8 52 0.6766 4.510667
160 8.4 52.5 0.6786 4.24125
170 8.9 52.35294 0.6803 4.001765
180 9.5 52.77778 0.682 3.788889
190 10.1 53.15789 0.6835 3.597368
200 10.7 53.5 0.6851 3.4255
210 11.3 53.80952 0.6865 3.269048
220 11.9 54.09091 0.6879 3.126818
230 12.5 54.34783 0.6892 2.996522
240 13.1 54.58333 0.6905 2.877083
250 13.7 54.8 0.6916 2.7664
I b = 250 [mA] I b = 200 [mA] I b = 150 [mA] I b =
100 [mA]
I b = 50 [mA]
I k U ke I k U ke I k U ke I k U
ke I k U ke
[ mA] [ V ] [ mA] [ V ] [ mA] [ V ] [ mA] [
V ] [ mA] [ V ]
13.8 1 11.9 1 8.4 1 5.3 1 2.5 1
14 2 12.1 2 8.4 2 5.3 2 2.5 2
14.1 3 12.2 3 8.4 3 5.4 3 2.5 3
14.2 4 12.3 4 8.5 4 5.4 4 2.6 4
14.4 5 12.5 5 8.6 5 5.5 5 2.6 5
14.5 6 12.7 6 8.6 6 5.5 6 2.6 6
14.6 7 12.8 7 8.6 7 5.5 7 2.6 7
14.8 8 12.9 8 8.7 8 5.6 8 2.6 8
14.9 9 12.9 9 8.7 9 5.6 9 2.6 9
15.1 10 13 10 8.8 10 5.7 10 2.6 10
15.3 11 13.1 11 8.8 11 5.7 11 2.6 11
15.5 12 13.1 12 8.9 12 5.7 12 2.6 12
STRONA
- STRONA 1 -
