pobieranie: 2.6 tranzystor (sprawozdanie v.2)
Pobierz dokument docPrzeglądaj wersję html pliku:
POLITECHNIKA SZCZECIŃSKA
WYDZIAŁ MECHANICZNY
ELEKTRONIKA
SPRAWOZDANIE
TEMAT:
Tranzystor
ROK AKADEMICKI
........................................................... WYDZIAŁ
MECHANICZNY
........................................................................
......... ZESPÓŁ NR
.............................................
PROWADZĄCY ĆWICZENIA
.........................................
........................................................................
.......... DATA WYKONANIA ĆWICZENIA
........................................................................
.......................... NR ĆWICZENIA
...............................................
1. Budowa i zasada działania tranzystora.
Tranzystory najogólniej można podzielić na bipolarne, których
działanie opiera się na przepływie zarówno prądu elektronowego jak
i dziurowego, oraz tranzystory unipolarne, w których przepływ prądu
zachodzi za pośrednictwem nośników tylko jednego znaku.
Jako półprzewodnik podstawowy jest coraz powszechniej stosowany
krzem, ze względu na możliwość pracy w szerszym zakresie temperatur
niż german oraz możliwości utworzenia na jego powierzchni trwałej
masy tlenkowej.
Tranzystor jest zespołem trzech warstw materiału
półprzewodnikowego. Zewnętrzne warstwy mogą być typu n lub p.
Środkowa warstwa zawsze jest wykonana z materiału przeciwnego typu
niż warstwa zewnętrzna.
Tranzystor pracują zasadniczo w trzech układach pracy
a) układ o wspólnej bazie
b) układ o wspólnym emiterze
c) układ o wspólnym kolektorze
Układ ze wspólną bazą ma małe wzmocnienie prądowe. Wzmocnienie
napięciowe jest rzędu kilkuset do kilku tysięcy. Układ ten ma małą
oporność wejściową, a dużą wyjściową. Jest rzadko stosowanym
układem.
Układ ze wspólnym emiterem daje wzmocnienie prądowe równe w
przybliżeniu Wzmocnienie napięciowe jest
rzędu kilkuset. Układ ten zapewnia największe wzmocnienie mocy.
Układ ze wspólnym kolektorem daje wzmocnienie prądowe o taką samą
wartość niż poprzedni. lecz wzmocnienie napięciowe <1
W celu zapoznania właściwej pracy tranzystora, poszczególne złącza
muszą być odpowiednio spolaryzowane. Złącze emiter-baza należy
spolaryzować w kierunku przewodzenia, złącze baza-kolektor w kierunku
zaporowym.
Złącze baza-emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a
złącze kolektor-baza w kierunku zaporowym. Dzięki spolaryzowaniu
złącza emiter-baza w kierunku przewodzenia płynie przez nie
stosunkowo duży prąd. Prąd płynący z emitera do bazy jest przede
wszystkim prądem dziurowym. Dziury przechodzące przez złącze
baza-emiter przenikają przez materiał bazy w pobliżu drugiego
złącza. Ujemny potencjał kolektora przyciąga dziury znajdujące się
w pobliżu złącza baza-kolektor. Dziury które przeszły do kolektora
są zastępowane nowymi dziurami przechodzącymi przez bazę. Jeżeli
baza jest bardzo cięką to tylko nieliczne elektrony mogą
rekombinować z dziurami pochodzącymi z emitera, a zatem większość
dziur dotrze do kolektora. Podsumowując można stwierdzić, że prąd
emitera jest duży, prąd kolektora jest prawie równy prądowi emitera,
a prąd bazy jest różnica między tym prądem jest bardzo mała.
Działanie tranzystora n-p.-n jest podobne, należy wziąć tylko pod
uwagę odwrotną polaryzację złącz i charakter prądu - elektronowy a
nie dziurowy.
2. Schemat połączeń.
Schemat połączeń układu z transformatorem.
2.Zdejmowanie charakterystyki IK = f ( IB ) przy UKB = cons.
TABELA POMIARÓW
Lp. IK IB UEB
[mA] A [V]
1 4,0 50 2
2 7,5 90 2
3 11,0 130 2
4 14,5 175 2
5 17,0 200 2
6 21,0 250 2
1 4,5 50 3
2 8,0 90 3
3 11,5 130 3
4 15,0 175 3
5 17,0 200 3
6 22,0 250 3
1 5,0 50 4
2 8,5 90 4
3 12,0 130 4
4 16,0 175 4
5 18,0 200 4
6 22,5 250 4
Zdejmowanie charakterystyki IK = f ( UEK ).
TABELA POMIARÓW
A [mA] [V] A [mA] [V] A
1 1,50 0,10 50 2,50 0,10 100 5,00 0,10 250
2 3,00 0,17 50 3,75 0,20 100 11,00 0,20 250
3 3,50 0,25 50 8,25 0,30 100 19,00 0,30 250
4 4,00 0,40 50 8,50 0,60 100 20,00 0,40 250
5 4,00 0,60 50 8,50 1,00 100 20,00 0,60 250
6 4,20 1,00 50 8,50 2,00 100 20,50 1,00 250
7 4,25 2,00 50 8,50 4,00 100 21,00 2,00 250
8 4,50 4,00 50 8,75 6,00 100 21,50 4,00 250
9 4,50 8,00 50 9,00 8,00 100 22,50 7,00 250
10 4,50 10,00 50 9,50 10,00 100 24,00 10,00 250
5.Literatura.
F.Przeździecki : Elektrotechnika i elektronika, PWN, W-wa
J.Chabłowski : Elektrotechnika w pytaniach i odpowiedziach, WNT, W-wa
T.Zagajewski : Układy elektroniki przemysłowej, WNT, W-wa
PAGE 4
PAGE 2
2.6 tranzystor (sprawozdanie v.2)
POLITECHNIKA SZCZECIŃSKA
WYDZIAŁ MECHANICZNY
ELEKTRONIKA
SPRAWOZDANIE
TEMAT:
Tranzystor
ROK AKADEMICKI
........................................................... WYDZIAŁ
MECHANICZNY
........................................................................
......... ZESPÓŁ NR
.............................................
PROWADZĄCY ĆWICZENIA
.........................................
........................................................................
.......... DATA WYKONANIA ĆWICZENIA
........................................................................
.......................... NR ĆWICZENIA
...............................................
1. Budowa i zasada działania tranzystora.
Tranzystory najogólniej można podzielić na bipolarne, których
działanie opiera się na przepływie zarówno prądu elektronowego jak
i dziurowego, oraz tranzystory unipolarne, w których przepływ prądu
zachodzi za pośrednictwem nośników tylko jednego znaku.
Jako półprzewodnik podstawowy jest coraz powszechniej stosowany
krzem, ze względu na możliwość pracy w szerszym zakresie temperatur
niż german oraz możliwości utworzenia na jego powierzchni trwałej
masy tlenkowej.
Tranzystor jest zespołem trzech warstw materiału
półprzewodnikowego. Zewnętrzne warstwy mogą być typu n lub p.
Środkowa warstwa zawsze jest wykonana z materiału przeciwnego typu
niż warstwa zewnętrzna.
Tranzystor pracują zasadniczo w trzech układach pracy
a) układ o wspólnej bazie
b) układ o wspólnym emiterze
c) układ o wspólnym kolektorze
Układ ze wspólną bazą ma małe wzmocnienie prądowe. Wzmocnienie
napięciowe jest rzędu kilkuset do kilku tysięcy. Układ ten ma małą
oporność wejściową, a dużą wyjściową. Jest rzadko stosowanym
układem.
Układ ze wspólnym emiterem daje wzmocnienie prądowe równe w
przybliżeniu Wzmocnienie napięciowe jest
rzędu kilkuset. Układ ten zapewnia największe wzmocnienie mocy.
Układ ze wspólnym kolektorem daje wzmocnienie prądowe o taką samą
wartość niż poprzedni. lecz wzmocnienie napięciowe <1
W celu zapoznania właściwej pracy tranzystora, poszczególne złącza
muszą być odpowiednio spolaryzowane. Złącze emiter-baza należy
spolaryzować w kierunku przewodzenia, złącze baza-kolektor w kierunku
zaporowym.
Złącze baza-emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a
złącze kolektor-baza w kierunku zaporowym. Dzięki spolaryzowaniu
złącza emiter-baza w kierunku przewodzenia płynie przez nie
stosunkowo duży prąd. Prąd płynący z emitera do bazy jest przede
wszystkim prądem dziurowym. Dziury przechodzące przez złącze
baza-emiter przenikają przez materiał bazy w pobliżu drugiego
złącza. Ujemny potencjał kolektora przyciąga dziury znajdujące się
w pobliżu złącza baza-kolektor. Dziury które przeszły do kolektora
są zastępowane nowymi dziurami przechodzącymi przez bazę. Jeżeli
baza jest bardzo cięką to tylko nieliczne elektrony mogą
rekombinować z dziurami pochodzącymi z emitera, a zatem większość
dziur dotrze do kolektora. Podsumowując można stwierdzić, że prąd
emitera jest duży, prąd kolektora jest prawie równy prądowi emitera,
a prąd bazy jest różnica między tym prądem jest bardzo mała.
Działanie tranzystora n-p.-n jest podobne, należy wziąć tylko pod
uwagę odwrotną polaryzację złącz i charakter prądu - elektronowy a
nie dziurowy.
2. Schemat połączeń.
Schemat połączeń układu z transformatorem.
2.Zdejmowanie charakterystyki IK = f ( IB ) przy UKB = cons.
TABELA POMIARÓW
Lp. IK IB UEB
[mA] A [V]
1 4,0 50 2
2 7,5 90 2
3 11,0 130 2
4 14,5 175 2
5 17,0 200 2
6 21,0 250 2
1 4,5 50 3
2 8,0 90 3
3 11,5 130 3
4 15,0 175 3
5 17,0 200 3
6 22,0 250 3
1 5,0 50 4
2 8,5 90 4
3 12,0 130 4
4 16,0 175 4
5 18,0 200 4
6 22,5 250 4
Zdejmowanie charakterystyki IK = f ( UEK ).
TABELA POMIARÓW
A [mA] [V] A [mA] [V] A
1 1,50 0,10 50 2,50 0,10 100 5,00 0,10 250
2 3,00 0,17 50 3,75 0,20 100 11,00 0,20 250
3 3,50 0,25 50 8,25 0,30 100 19,00 0,30 250
4 4,00 0,40 50 8,50 0,60 100 20,00 0,40 250
5 4,00 0,60 50 8,50 1,00 100 20,00 0,60 250
6 4,20 1,00 50 8,50 2,00 100 20,50 1,00 250
7 4,25 2,00 50 8,50 4,00 100 21,00 2,00 250
8 4,50 4,00 50 8,75 6,00 100 21,50 4,00 250
9 4,50 8,00 50 9,00 8,00 100 22,50 7,00 250
10 4,50 10,00 50 9,50 10,00 100 24,00 10,00 250
5.Literatura.
F.Przeździecki : Elektrotechnika i elektronika, PWN, W-wa
J.Chabłowski : Elektrotechnika w pytaniach i odpowiedziach, WNT, W-wa
T.Zagajewski : Układy elektroniki przemysłowej, WNT, W-wa
PAGE 4
PAGE 2
